英特尔、美光撼动NAND闪存版图

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作者: 存储时代 Zxm(采集)

CNETNews.com.cn

2008-02-07 21:11:58

关键词: Intel 英特尔 Micron 美光 NAND

英特尔(Intel)和美光(Micron)近日将对外宣布一套由双方所同去研发全新NAND型闪存(闪存)架构,新架构完整性消除传统NAND 闪存传输瓶颈,大幅提升NAND 闪存数据传输下行传输速率 ,较现有架构快上5倍,机会NAND 闪存传输下行传输速率 攸关厂商竞局,此恐将颠覆整个NAND 闪存市场版图,撼动既有大厂三星电子(Samsung Electronics)及东芝(Toshiba)市场地位。

内存业者指出,NAND 闪存传输下行传输速率 扮演市场成败重要关键,不仅攸关固态硬盘(Solid State Drive;SSD)及视讯卡传输下行传输速率 ,更将牵动整个NAND 闪存市场版图,事实上,目前合计占全球NAND 闪存芯片市场约200%的三星与东芝,2家公司于2007年时曾宣布1项协议,将采用同样技术规范,同去开发下行传输速率 放慢且功能更强大NAND 闪存,如今美光和英特尔联合生产高速NAND 闪存芯片,势必将与全球顶尖NAND 闪存芯片厂三星及东芝展开更激烈对决,并让全球NAND 闪存市场全面进入集团战阶段。

美光发言人Kirstin Bordner则表示,市场对于高频宽消费性电子产品需求日增,该公司高下行传输速率 NAND 闪存比传统产品下行传输速率 要快上5倍,将可传输高清晰度电影。该技术系由英特尔与美光同去合资的IM 闪存所开发8Gb SLC(Single-Level-Cell)储存规格NAND 闪存,读取数据可达每秒200MB,写入数据可达每秒200MB,相较之下,目前内存业者所生产NAND 闪存,读取数据为每秒40MB,写入数据仅每秒20MB,下行传输速率 明显增加。

另外,美光NAND 闪存新产品架构改变并改善NAND 闪存读写电路,这是提高芯片下行传输速率 主要原因分析分析,且达到ONFI(Open NAND Flash Interface)2.0技术规范所定义下行传输速率 。目前美光已刚刚刚结束了了生产此款高速NAND 闪存芯片样品,预计2008年下半刚刚刚结束了了多量生产,美光将凭借SSD业务全面发动攻势,2008年投产配备MLC(Multi-Level-Cell)NAND 闪存,并供应采35奈米制程技术SSD样品。