台积电:3nm EUV工艺进展顺利 已开始接触早期客户

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尽管 10 nm 以下芯片制造工艺的突破可能性愈加艰难,但以台积电为代表的业内领先企业,并这样如果 而放缓研发的步伐。该公司上周表示,其 3nm 工艺的开发进展顺利。目前看来,台积电可能性摸清了道路,且可能性始于接触早期客户。在面向投资者和金融分析师的电话会议上,台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 否认了你这个 消息。

他表示:“我司在 N3 节点的技术开发上进展很顺利,如果 可能性与早期客户就技术定义进行了接触。让人们都 希望 3nm 制程可进一步加大台积电在未来的行业领导地位”。

因 N3 技术仍所处早期开发阶段,台积电目前尚未谈及具体的形态、及其相较于 N5 的优势。该公司称已评估所有可能性的晶体管形态选项,并未客户提供了非常好的避免方案。

N3 规范正在开发之中,台积电相信它将满足其业内领先的企业相互合作客户的要求。事实上,台积电已确认 N3 将是全新的工艺,而都在 N5 的简单改进或迭代。

作为该公司主要竞争对手之一的三星,则计划采用 3nm(3GAAE)技术。共同都能够 肯定的是,台积电 3nm 节点将共同使用深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻设备。

可能性台积电的 N5 工艺使用了 14 层 EUV,如果 N3 使用的层数可能性会更高。作为全球最大的半导体合约制造商,其似乎对 EUV 的进展感到非常满意,并认为该技术对其未来的发展至关重要。

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